Plasma chemistries for dry etching GaN, AlN, InGaN and InAlN

机译：用于干蚀刻GaN，alN，InGaN和InalN的等离子体化学物质

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Pearton, S.J.; Vartuli, C.B.; Lee, J.W.; Donovan, S.M.; MacKenzie, J.D.; Abernathy, C.R.; Shul, R.J.; McLane, G.F.; Ren, F.;
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年度 1996
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