Surface characterization of optics for EUV lithography

机译：EUV光刻的光学表面表征

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Gaines, D.P.; Sweeney, D.W.; DeLong, K.W.; Vernon, S.P.; Baker, S.L.; Tichenor, D.A.; Kestner, R.;
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年度 1996
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1. EUV LITHOGRAPHY: High-NA EUV optics are on their way [J] . John Wallace Laser Focus World: The Magazine for the Photonics & Optoelectronics Industry . 2013,第7期

机译：EUV光刻：高NA EUV光学器件正在发展中
2. MID-INFRARED OPTICS: CVD diamond IR optics enable EUV lithography [J] . ANDREW BENNETT, EUGENE ANOIKIN, BENNO VROLIJK Laser Focus World: The Magazine for the Photonics & Optoelectronics Industry . 2013,第11期

机译：中红外光学元件：CVD金刚石红外光学元件可实现EUV光刻
3. UV OPTICS: Optics go to extremes - in EUV lithography [J] . STEVE GRANTHAM, CHARLES TARRIO, SHANNON B. HILL, Laser Focus World: The Magazine for the Photonics & Optoelectronics Industry . 2005,第11期

机译：紫外线光学：极致光学-在极紫外光刻中
4. Beamline for measurement and characterization of multilayer optics for EUV lithography [C] . James H. Underwood, Lawrence Berkeley National Lab., Univ. of Californ ia/Berkeley, Conference on emerging lithographic technologies . 1998

机译：用于EUV光刻的多层光学器件的测量和表征的光束线
5. Gibbsian segregating alloys driven by thermal and concentration gradients: A potential grazing collector optics used in EUV lithography. [D] . Qiu, Huatan. 2007

机译：由温度和浓度梯度驱动的吉布斯偏析合金：EUV光刻中潜在的掠射收集器光学器件。
6. Physico-Chemical Surface Modifications of Polyetheretherketone (PEEK) Using Extreme Ultraviolet (EUV) Radiation and EUV-Induced Nitrogen Plasma [O] . Joanna Czwartos, Bogusław Budner, Andrzej Bartnik, 2020

机译：使用极端紫外（EUV）辐射和EUV诱导的氮等离子体的聚醚醚酮（PEEK）的物理化学表面改性
7. Novel condenser for EUV lithography ring-field projection optics [O] . Henry N. Chapman, Keith A. Nugent 1999

机译：<标题> EUV光刻环形投影光学元件的新型冷凝器
8. Surface characterization of optics for EUV lithography [R] . Gaines, D. P., Sweeney, D. W., DeLong, K. W., 1996

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