机译:U / Pb,Pb和Hg厚靶上0.533和1.0 GeV质子轰击的中子产率比较
机译:二次中子是1 GeV质子轰击厚U目标的富中子裂变产物的主要来源
机译:在被0.04-2.6 GeV质子轰击的薄Bi-209,Pb-nat,Pb-206,Pb-207和Pb-208靶标中产生残留放射性核
机译:1.5 GEV质子的放射性箔分析HG目标的轰炸
机译:在相对论重离子对撞机上,质子-质子在质能中心= 200 GeV处发生质子-质子碰撞时,伪快速区的非光子电子分布为1.1到1.5。
机译:在钽靶中产生的铽菌放射性核苷酸的生产横截面测量诱导0.3-1.7 gev质子和相应的厚靶产率计算
机译:轰击薄,厚W,Hg,Pb目标的中子产生0.4、0.8、1.2、1.8和2.5 GeV质子
机译:1.5 GeV质子轰击Hg靶的放射性箔分析