机译:晶格匹配的GaInAsSb / GaSb和GaInAsSb / InAs合金的能带隙和能带边能量随组成的变化
机译:GaSb上AISb,GaSb,InAs,InAsSb和GaInAsSb的分子束外延生长的反射高能电子衍射研究
机译:N-n GaSb / GaInAsSb交错排列的异质结附近的重组
机译:0.5-0.6 EV外延Gainassb格子与喘气的重组过程分析
机译:决定HIV-1逆转录过程中重组事件效率的因素的机制分析
机译:温度稳定的中红外GaInAsSb / GaSb垂直腔表面发射激光器(VCSEL)
机译:0.5 - 0.6eV外延GaInassb晶格匹配Gasb的复合过程分析
机译:0.5-0.6 eV外延GaInassb晶格匹配Gasb的重组过程分析