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【2h】

10 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver using an MSM photodiode and AlGaAs/GaAs HEMTs

机译：采用msm光电二极管和alGaas / Gaas HEmT的10 Gbps单片集成光电接收器

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A 10 Gbit/s monolithic integrated optoelectronic receiver has been fabricated with a metal-semiconductor-metal (MSM) photodiode and enhancement/depletion 0.5 μm recessed-gate AlGaAs/GaAs HEMTs. A -3 dB bandwidth of 11.3 GHz has been achieved.

机译：已使用金属-半导体-金属（MSM）光电二极管和增强/耗尽0.5μm凹栅AlGaAs / GaAs HEMT制成了10 Gbit / s的单片集成光电接收器。已实现11.3 GHz的-3 dB带宽。

著录项

作者
Hurm, Volker; Rosenzweig, Josef; Ludwig, Manfred; Axmann, Albert; Benz, Willi; Berroth, Manfred; Osorio, Ricardo; Hülsmann, Axel; Kaufel, Gudrun; Köhler, Klaus; Raynor, Brian; Schneider, Joachim;
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作者单位

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年度 2015
总页数
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