PENGARUH VARIASI SPACER TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se0,6Te0,4) DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

摘要

Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh spacer terhadap kualitas lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dan karakteristik kristal lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang dihasilkan melalui teknik evaporasi vakum.udTeknik evaporasi vakum digunakan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) dengan tekanan 10-5 mbar. Variasi spacer pada evaporator sebesar 10 cm, 15 cm, dan 25 cm diterapkan pada proses penumbuhan lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4). Lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4) yang diperoleh dikarakterisasi menggunakan XRD (X-Ray Diffraction) untuk mengetahui struktur kristal dan parameter kisi, SEM (Scanning Electron Microscopy) untuk mengetahui morfologi permukaaan dan EDAX (Energi Dispersive Analysis X-Ray) untuk mengetahui komposisi kimia lapisan tipis Sn(Se0,6Te0,4).udHasil yang diperoleh memperlihatkan sampel memiliki struktur kristal orthorombik, dengan nilai parameter kisi sebagai berikut: variasi spacer 10 cm a=11,89Å, b= 4,52Å, c= 4,4Å; variasi spacer 15 cm, a= 11,89Å, b=4,29Å, c= 4,51Å; dan variasi spacer 25 cm, a=11,62Å, b= 4,57Å, c= 4,64Å. Diameter rata-rata partikel pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 10 cm adalah 0,1306 m m. Pada koordinat kanan kiri dan atas bawah untuk spacer 15 cm adalah 0,1336 dan m. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 10 cm adalah Sn = 53,68 %, Se = 33,65%, Te = 12,67% dan 1: 0,62: 0,23. Perbandingan presentase atom dan perbandingan molaritas untuk spacer 15 cm adalah Sn = 52.02 %, Se = 33,91 %, Te = 14.07% dan 1: 0,65: 0,27. Hasil tersebut dapat disimpulkan bahwa variasi spacer mempengaruhi kualitas kristal yang terbentuk. Semakin dekat spacer maka kualitas kristalnya semakin baik, karena kemungkinan bahan terdeposisi pada substrat semakin tinggi.