Sifat Optik Film Tipis Galium OksidaudDengan Doping Eu (5)

摘要

Dalam penelitian ini, telah dikaji sifat optic film tipis Ga2 O3:Eu (5%) yangudditumbuhkan dengan menggunakan reaktor DC unbalanced magnetron sputtering (home made).udDari hasil karakterisasi UV-nir, dapat ditunjukkan bahwa kehadiran doping Eu (5%) telahudmenurunkan reflektansi film. Kondisi ini sesuai dengan citra SEM, yang menunjukkan bahwa filmuddengan doping Eu (5%) mempunyai struktur morfologi yang kasar. Dari hasil karakterisasi denganudUV-nir juga diperoleh optical bandgap film Ga2O3 sebesar 3,4 eV dan tidak dipengaruhi olehudkehadiran doping Eu(5%). Kehadiran Eu(5%) pada Ga2O3 telah meningkatkan intensitasudfotoluminisensi tetapi tidak berpengaruh secara signifikan pada puncak spektrum fotoluminisensudfilm Ga2O3 (~600 nm).udKata kunci: Ga2 O3 , Ga2O3:Eu(5%), dc magnetron sputtering, fotoluminisensi