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Control of spontaneous emission from InP single quantum dots in GaInP photonic crystal nanocavities

机译:控制GaInp光子晶体纳米腔中Inp单量子点的自发辐射

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摘要

We demonstrate semiconductor quantum dots coupled to photonic crystal cavity modes operating in the visible spectrum. We present the design, fabrication, and characterization of two dimensional photonic crystal cavities in GaInP and measure quality factors in excess of 7500 at 680 nm. We demonstrate full control over the spontaneous emission rate of InP quantum dots and by spectrally tuning the exciton emission energy into resonance with the fundamental cavity mode we observe a Purcell enhancement of similar to 8. (C) 2010 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3510469]
机译:我们演示了耦合到在可见光谱中运行的光子晶体腔模的半导体量子点。我们介绍了GaInP中二维光子晶体腔的设计,制造和表征,并在680 nm下测量了超过7500的质量因子。我们展示了对InP量子点的自发发射速率的完全控制,并且通过对激子发射能量进行光谱调谐以使其与基本腔模共振,我们观察到了Purcell增强,类似于8。(C)2010美国物理研究所。 [doi:10.1063 / 1.3510469]

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