机译:双模VCO增益拓扑可减少65 nm CMOS中PLL的带内噪声和参考杂散
机译:双模VCO增益拓扑可减少65 nm CMOS中PLL的带内噪声和参考杂散
机译:使用低功率GRO-TDC的混合PLL,可降低带内相位噪声
机译:使用相频检测器和辅助子采样相位检测器的2.2GHz PLL,用于带内噪声抑制
机译:使用多相VCO降低PLL中的量化噪声。
机译:带内不对称补偿用于通过光传输网络进行准确的时间/相位传输
机译:2.2GHz子采样pLL,具有0.16psrms抖动和-125dBc / Hz带内相位噪声,700μW环路元件功率