Analysis of GaN HEMTs Switching Transients Using Compact Model

机译：用紧凑模型分析GaN HEmT开关瞬态

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Igic Petar;
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年度 2017
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1. Switching Transient Analysis and Characterization of an E-Mode B-Doped GaN-Capped AlGaN DH-HEMT with a Freewheeling Schottky Barrier Diode (SBD) [J] . Subramanian Baskaran, Anandan Mohanbabu, Veerappan Saminathan, Journal of Electronic Materials . 2020,第7期

机译：用续流肖特基势垒二极管（SBD）开关瞬态分析和表征E模式B掺杂GaN-Cappe Algan Dh-Hemt
2. A Comprehensive Compact Model for GaN HEMTs, Including Quasi-Steady-State and Transient Trap-Charge Effects [J] . B. Syamal, X. Zhou, S. B. Chiah, IEEE Transactions on Electron Devices . 2016,第4期

机译：GaN HEMT的全面紧凑模型，包括准稳态和瞬态陷阱电荷效应
3. Compact Model for Current Collapse in GaN-HEMT Power Switches [J] . Mirwazul Islam, Grigory Simin International Journal of High Speed Electronics and Systems: Devices, Integrated Circuits and Systems, Optical and Quantum Electronics . 2016,第1a2期

机译：GaN-HEMT电源开关中电流崩塌的紧凑模型
4. Analysis of GaN-HEMTs switching characteristics for power applications with compact model including parasitic contributions [C] . Takeshi Mizoguchi, Toshiyuki Naka, Yuta Tanimoto, International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs . 2016

机译：利用包含寄生贡献的紧凑型模型分析功率应用的GaN-HEMTs开关特性
5. Gan hemts and moshemts for power switching applications [D] . Hu, Zongyang 2015

机译：Gan hemts和moshemts用于电源开关应用
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机译：中子照射对AlGaN / GaN HEMT开关瞬变的影响
8. Electro-Thermo-Mechanical Transient Modeling of Stress Development in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (HEMTs) (Postprint). [R] . Heller, E. R., Dorsey, D., Jones, J. P., 2014

机译：alGaN / GaN高电子迁移率晶体管（HEmT）应力发展的电 - 热 - 力学瞬态建模（后印刷）。

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