机译:基于温度相关的I-v和C-v测量,在中等掺杂N-inp上金肖特基接触的势垒特性
机译:具有外延NiSi2接触和掺杂剂偏析的肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管的实验I-V和C-V分析
机译:Ni / n-GaN肖特基接触的随温度变化的实验I-V和C-V数据
机译:造型异二代肖特基触点的C-V特征
机译:n型4H碳化硅的不均匀性及其对肖特基接触电特性的影响。
机译:具有嵌入式MOS电容器的高响应性石墨烯/硅光电二极管的I-V和C-V表征
机译:稀土金属/ p-GaN肖特基接触的I-V和C-V特性
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。