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Producción y caracterización de recubrimientos del sistema Y-Ba-Cu-O producidos por medio de la técnica de rocío pirolítico / Production and characterization of Y-Ba-Cu-O system films produced by ultrasonic spray pyrolysis

机译:通过热解喷涂技术生产和表征Y-Ba-Cu-O系涂层/超声喷雾热解生产Y-Ba-Cu-O系统薄膜的生产和表征

摘要

Se realizaron depósitos del sistema Y-Ba-Cu-O a partir de diferentes precursores y sobre diferentes superficies usando la técnica de Rocío Pirolítico Ultrasónico. Como sustratos se utilizaron MgO, Si y SiO2 con y sin capa búfer de YSZ. Los depósitos se realizaron durante una hora a 600°C con un equipo RPU mejorado que permite depósitos de larga duración y se realizó un tratamiento térmico intensivo. Se realizaron caracterizaciones de tipo elemental, cristalino, topográfico y eléctrico a las dieciocho muestras mostrando Exceso de CuO y deficiencia de Ba, películas policristalinas con fases binarias, ternarias ycuaternarias, bajas rugosidades de película y un comportamiento eléctrico de tipo semiconductor. / Abstract. Y-Ba-Cu-O films were made from different precursors and deposited over different surfaces using Ultrasonic Spray Pyrolysis technique. The subtrates used were MgO, Si and SiO2 with and without a YSZ buffer layer. The films were produced at 600°C and 1 hour with and improved USP equipment that allows long-time deposition and an intensive thermal treatment has done. Characterization to the eighteen samples were made, as follows: Elemental, crystalline, topographic and electric analysis, showing CuO excess and Ba deficiency, polycrystalline films with binary, ternary and cuaternary phases, films low roughnesses and an semiconductor-like electric behavior.
机译:Y-Ba-Cu-O系统的沉积物是使用超声波热解露技术从不同的前驱物和不同的表面上制成的。具有和不具有YSZ缓冲层的MgO,Si和SiO 2用作衬底。使用改进的RPU设备在600°C下进行沉积一小时,以进行长期沉积并进行了强化热处理。对十八个样品进行了元素,晶体,形貌和电学表征,这些样品显示出过量的CuO和Ba缺乏,具有二元,三元和四元相的多晶膜,低膜粗糙度和半导体型电行为。 /摘要。 Y-Ba-Cu-O薄膜由不同的前驱物制成,并使用超声波喷雾热解技术沉积在不同的表面上。所用的次要物是具有和不具有YSZ缓冲层的MgO,Si和SiO 2。薄膜是使用改进的USP设备在600°C和1小时的条件下生产的,该设备可进行长时间沉积并进行了深入的热处理。对18个样品进行了表征,如下所示:元素,晶体,形貌和电分析,显示出CuO过量和Ba缺乏,具有二元,三元和四元相的多晶膜,膜的粗糙度低并且具有类似于半导体的电行为。

著录项

  • 作者单位
  • 年度 2009
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