机译:分子尺度场效应晶体管的制备与表征
机译:适用于低于10 nm技术节点的超大规模Si_(1-x)Ge_x全方位栅和鳍式场效应晶体管的量子约束和能带结构效应的有效从头算分析
机译:离子轰击辅助溅射和氧自由基处理在非晶SiO_2上形成大矫顽场的铁电薄膜形成技术,以进一步缩小铁电栅场效应晶体管存储器件的尺寸
机译:致力于制造垂直狭缝场效应晶体管(VeSFET)作为纳米级CMOS技术的新器件
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:分子尺度场效应晶体管结构的制造技术研究
机译:石墨烯电子结构系统控制的新途径及石墨烯场效应晶体管的制备。