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机译:Nb掺杂的Gd2O3作为电荷俘获层用于非易失性存储器应用
SHI R; Lai PT; HUANG X; Sin JKO;
机译:掺Nb的Ga2O3作为非易失性存储应用的电荷捕获层
机译:掺Nb的 src =“ / images / tex / 25072.gif” alt =“ hbox {La} _ {2} hbox {O} _ {3}”> inline-form>非易失性存储器应用的电荷陷阱层
机译:掺Nb的Gd_2O_3作为非易失性存储器应用的电荷捕获层
机译:HfTiON作为非易失性存储器应用中的电荷陷阱层
机译:SONOS非易失性存储设备中的均匀和局部电荷陷阱。
机译:非易失性存储应用中Al2O3-TiAlO-SiO2栅堆叠的电子结构和电荷俘获特性
机译:Nb掺杂La2O3作为非易失性存储器应用的电荷俘获层
机译:电荷陷阱存储单元,尤其是SONOS和NROM存储单元,具有存储层序列,用于在限制层之间的存储区进行电荷陷阱
机译:-在多层电荷陷阱区域中具有去离子层的非易失性电荷陷阱存储器
机译:在多层电荷俘获区中具有氘化层的非易失性电荷俘获存储器件
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