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【2h】

Mo-Doped La2O3 as Charge-Trapping Layer for Improved Low-Voltage Flash-Memory Performance

机译：mo掺杂La2O3作为电荷俘获层，用于改善低压闪存性能

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机译：印后

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Lai PT; Tao QB;
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年度 2013
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1. Mo-Doped La_2O_3 as Charge-Trapping Layer for Improved Low-Voltage Flash-Memory Performance [J] . Q. B. Tao, P. T. Lai ECS Solid State Letters . 2013,第11期

机译：Mo掺杂的La_2O_3作为电荷陷阱层，可改善低压闪存的性能
2. Improved Performance in Charge-Trap-Type Flash Memories with an Al203Dielectric by Using Bandgap Engineering of Charge-Trapping Layers [J] . Yu Jeong SEO, Ho Myoung AN, Hee Dong KIM, Journal of the Korean Physical Society . 2009,第6aPta1期

机译：通过使用电荷陷阱层的带隙工程，利用Al2O3电介质改善了电荷陷阱型闪存的性能
3. Improved performances of metal-oxide-nitride-oxide-silicon memory with HfTiON as charge-trapping layer [J] . Chen J.X., Xu J.P., Liu L., Applied Physics Letters . 2013,第21期

机译：以HfTiON为电荷俘获层的金属氧化物，氮化物，氧化物，硅存储器的改进性能
4. Improved operation characteristics for charge-trapping flash memory devices with SiGe buried channel and stacked charge-trapping layers [C] . 2010 10th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology . 2010

机译：具有SiGe掩埋沟道和堆叠电荷捕获层的电荷捕获闪存器件的改进的操作特性
5. Novel Dielectric Materials for High Performance and Low-Voltage Thin-Film Transistors: Organic-Inorganic Hybrid Blends and Multilayers. [D] . Ha, Young-Geun. 2011

机译：用于高性能和低压薄膜晶体管的新型介电材料：有机-无机混合混合物和多层。
6. Flash Memory Featuring Low-Voltage Operation by Crystalline ZrTiO4 Charge-Trapping Layer [O] . Yung-Shao Shen, Kuen-Yi Chen, Po-Chun Chen, -1

机译：通过晶体ZrTiO4电荷陷阱层实现低压操作的闪存
7. Improved performance by using TaON/SiO2 as dual tunnel layer in Charge-Trapping nonvolatile memory [O] . Chen JX, Xu JP, Liu L, 2014

机译：通过在电荷捕获非易失性存储器中使用TaON / siO2作为双隧道层来改善性能

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