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机译:温度对异质外延GaN层纵向光学声子辅助激子发光的影响
Liu W; Li MF; Xu SJ;
机译:MBE和氯化氢VPE生长的GaN层中的声子辅助激子发光
机译:通过GaN外延层中的声子辅助发射探测态的激子密度:A和B激子的贡献
机译:高温退火异质外延GaN:Mg层的光电性能
机译:纤锌矿GaN外延层中的声子辅助光致发光
机译:通过选择性地区MOCVD生长的异膜厚GaN层和垂直大功率器件
机译:GaN外延层中Er光学中心的光致发光量子效率
机译:直接测定GaN外延层中声子辅助发光光谱中的自由激子束缚能
机译:利用泰勒级数指数展开法测定GE在自由激子复合中禁带辉度的温度依赖性和光强强度函数的方法,温度高达400 K
机译:包括硅衬底,GaAs层和GaN层#13的异质外延半导体器件
机译:含有异质结构的金属分层产物的异质轴结构及其制备方法,以及纳米隙电极的制备方法及纳米孔电极的方法
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