机译:通过氟化和氮化改善具有HfLaO栅介质的并五苯OTFT的性能
机译:退火温度和气体对以HfLaO为栅介电体的并五苯薄膜晶体管的影响
机译:不同退火气体对HfLaO栅极介电体并五苯薄膜晶体管的影响
机译:在NH_3中通过HfLaO栅介电体改善并五苯OTFT的性能
机译:and和ha铝合金的紫外线辅助氧化和氮化作为金属氧化物半导体应用的潜在栅极电介质。
机译:通过后退火实现具有高k Al2O3栅极电介质的溶胶-凝胶IGZO晶体管的电气性能的改善
机译:退火温度和气体对HfLaO作为栅介质的并五苯OTFT的影响