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A sub-1 V, 26 μw, low-output-impedance CMOS bandgap reference with a low dropout or source follower mode

机译:具有低压差或源极跟随器模式的低于1 V,26μW,低输出阻抗的CmOs带隙基准

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摘要

We present a low-power bandgap reference (BGR), functional from sub-1 V to 5 V supply voltage with either a low dropout (LDO) regulator or source follower (SF) output stage, denoted as the LDO or SF mode, in a 0.5-μm standard digital CMOS process with V tn≈ 0.6 V and |V tp| ≈ 0.7 V at 27 °C. Both modes operate at sub-1 V under zero load with a power consumption of around 26 μW. At 1 V (1.1 V) supply, the LDO (SF) mode provides an output current up to 1.1 mA (0.35 mA), a load regulation of ±8.5 mV/mA (±33 mV/mA) with approximately 10 μ s transient, a line regulation of ±4.2 mV/V (±50μV/V), and a temperature compensated reference voltage of 0.228 V (0.235 V) with a temperature coefficient around 34 ppm/° C from -20°C to 120 °C. At 1.5 V supply, the LDO (SF) mode can further drive up to 9.6 mA (3.2 mA) before the reference voltage falls to 90% of its nominal value. Such low-supply-voltage and high-current-driving BGR in standard digital CMOS processes is highly useful in portable and switching applications. © 2010 IEEE.
机译:我们提供了一种低功率带隙基准(BGR),其工作电压范围从低于1 V到5 V,具有低压降(LDO)调节器或源跟随器(SF)输出级,表示为LDO或SF模式。 Vtn≈0.6V和| V tp |的0.5-μm标准数字CMOS工艺在27°C时为≈0.7 V.两种模式均在零负载下在低于1 V的电压下工作,功耗约为26μW。在1 V(1.1 V)电源下,LDO(SF)模式可提供高达1.1 mA(0.35 mA)的输出电流,±8.5 mV / mA(±33 mV / mA)的负载调整率和大约10μs的瞬态,±4.2 mV / V(±50μV/ V)的线路调整率和0.228 V(0.235 V)的温度补偿参考电压,温度系数从-20°C到120°C约为34 ppm /°C。在1.5 V电源下,LDO(SF)模式可在基准电压降至其标称值的90%之前进一步驱动高达9.6 mA(3.2 mA)的电流。标准数字CMOS工艺中的这种低电源电压和高电流驱动BGR在便携式和开关应用中非常有用。 ©2010 IEEE。

著录项

  • 作者

    Wong N; Kwong DKK; Ng DCW;

  • 作者单位
  • 年度 2011
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类

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