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【2h】

Improved characteristics for MOHOS memory with oxygen-rich GdO as charge storage layer annealed by NH3

机译：具有富氧GdO作为由NH3退火的电荷存储层的mOHOs存储器的改进特性

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Liu L; Chen JX; Xu JP; Lai PT;
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年度 2014
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1. Improved characteristics for MOHOS memory with oxygen-rich GdO as charge storage layer annealed by NH_3 [J] . Lu Liu, J.P. Xu, J.X. Chen, Applied Physics . 2014,第4期

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2. Improved memory characteristics by NH3-nitrided GdO as charge storage layer for nonvolatile memory applications [J] . Liu L., Xu J. P., Ji F., Applied Physics Letters . 2012,第3期

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3. Improved memory characteristics by NH_3-nitrided GdO as charge storage layer for nonvolatile memory applications [J] . L. Liu, J. P. Xu, F. Ji, Applied Physics Letters . 2012,第3期

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4. Performance Evaluation of the MOHOS Flash Memory with Fluorinated HfO_2 Charge Storage Layer using Gate Fluorine Ion Implantation [C] . Yung-Yu Chen, Gen Lei China Semiconductor Technology International Conference . 2012

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5. Atomic Layer Deposition of Platinum Nano-particles and High-k Dielectrics for Non-volatile Charge Storage Memory Devices. [D] . Novak, Steven Randall. 2010

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