机译:以HfTiON为电荷俘获层的金属氧化物,氮化物,氧化物,硅存储器的改进性能
机译:以HfTiON为电荷俘获层的金属氧化物,氮化物,氧化物,硅存储器的改进性能
机译:ZrO_2电荷陷阱层的氮氧化物-氮化物-氮化物-氧化物-硅非易失性存储器性能改进
机译:f掺杂BaTiO3作为闪存应用中电荷捕获层的性能得到改善
机译:高k电介质的电荷陷阱闪存。
机译:半导体:基于并五苯/ P13 /并五苯作为电荷传输层和陷阱层的有机半导体异质结构的高性能非易失性有机场效应晶体管存储器(Adv。Sci。8/2017)
机译:通过在电荷捕获非易失性存储器中使用TaON / siO2作为双隧道层来改善性能