Hexagonal boron nitride is an indirect bandgap semiconductor

机译：六方氮化硼是一种间接带隙半导体

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Cassabois, Guillaume; Valvin, Pierre; Gil, Bernard;
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年度 2016
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机译：六方氮化硼是一种间接带隙半导体
2. Deep UV resonance Raman spectroscopic study on electron-phonon coupling in hexagonal III-nitride wide bandgap semiconductors [J] . Jin Shaoqing, Zhang Ying, Fan Fengtao, Journal of Raman Spectroscopy: An International Journal for Original Work in All Aspects of Raman Spectroscopy, Including Higher Order Processes, and Also Brillouin- and Rayleigh Scattering . 2016,第8期

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