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CVD-Wachstum von (001) und (111) 3C-SiC Epi-Schichten und ihre Grenzflächenreaktivität mit dielektrischen Praseodymiumoxidschichten

机译:(001)和(111)3C-siC外延层的CVD生长及其与氧化镨介电层的界面反应性

著录项

  • 作者

    Sohal Rakesh;

  • 作者单位
  • 年度 2006
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