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On-chip electron-impact ion source using carbon nanotube field emitters

机译:使用碳纳米管场发射器的片上电子碰撞离子源

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摘要

A lateral on-chip electron-impact ion source utilizing a carbon nanotube field emission electron source was fabricated and characterized. The device consists of a cathode with aligned carbon nanotubes, a control grid, and an ion collector electrode. The electron-impact ionization of He, Ar, and Xe was studied as a function of field emission current and pressure. The ion current was linear with respect to gas pressure from 10-4 to 10-1 Torr. The device can operate as a vacuum ion gauge with a sensitivity of approximately 1 Torr-1. Ion currents in excess of 1 μA were generated. © 2007 American Institute of Physics.
机译:制备并表征了利用碳纳米管场发射电子源的横向芯片上电子碰撞离子源。该设备包括一个带有对准的碳纳米管的阴极,一个控制栅和一个离子收集电极。研究了He,Ar和Xe的电子碰撞电离与场发射电流和压力的关系。相对于从10-4到10-1 Torr的气压,离子电流是线性的。该设备可以用作真空离子规,灵敏度约为1 Torr-1。产生的离子电流超过1μA。 ©2007美国物理研究所。

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