机译:锆取代对非易失性存储器中金属铁电(BiFeO_3)-绝缘体(HfO_2)-硅结构的电和物理性能的影响
机译:(011) - 和(001)-LA_(0.67)SR_(0.33)MNO_3 / PB(MG_(1/3)Nb_(2/3))_(0.7)Ti_(0.7)Ti_ (0.3)O_3异质结构
机译:NiFe2O4 / PMN-PT异质结构中的电荷辅助非易失性磁电效应
机译:基于MRAM的非易失性基本结构的辐射效应
机译:父母联结,学校联结,信念对小学适龄儿童问题行为结构的影响。
机译:原子层沉积的Al2O3 / HfO2 / Al2O3三层结构在非易失性存储应用中具有出色的电阻切换特性
机译:基于MRAM的非易失性基本结构的辐射效应
机译:云几何结构对其辐射特性的影响。