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【2h】

Enhanced annealing stability and perpendicular magnetic anisotropy in perpendicular magnetic tunnel junctions using W layer

机译：使用W层增强了垂直磁隧道结中的退火稳定性和垂直磁各向异性

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Chatterjee, Jyotirmoy; Sousa, Ricardo C.; Perrissin, Nicolas; Auffret, Stéphane; Ducruet, Clarisse; Diény, Bernard;
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作者单位

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年度 2017
总页数
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1. Enhanced annealing stability and perpendicular magnetic anisotropy in perpendicular magnetic tunnel junctions using W layer [J] . Jyotirmoy Chatterjee, Ricardo C. Sousa, Nicolas Perrissin, Applied Physics Letters . 2017,第20期

机译：使用W层增强了垂直磁隧道结中的退火稳定性和垂直磁各向异性
2. Origin of variation of shift field via annealing at 400°C in a perpendicular-anisotropy magnetic tunnel junction with [Co/Pt]-multilayers based synthetic ferrimagnetic reference layer [J] . H. Honjo, S. Ikeda, H. Sato, AIP Advances . 2017,第5期

机译：基于[Co / Pt]-多层的合成亚铁磁参考层在垂直各向异性磁隧道结中在400°C退火引起的位移场变化的起源
3. Effect of annealing on the magnetic tunnel junction with Co/Pt perpendicular anisotropy ferromagnetic multilayers [J] . Yi. Wang, W. X. Wang, H. X. Wei, Journal of Applied Physics . 2010,第9pta2期

机译：退火对Co / Pt垂直各向异性铁磁多层磁性隧道结的影响
4. Influence of different buffers on magnetic dead layer, critical current and thermal stability in magnetic tunnel junctions with perpendicular magnetic anisotropy [C] . Frankowski, M., Zywczak, A., Czapkiewicz, M., IEEE Magnetics Conference . 2015

机译：垂直磁各向异性的磁性隧道结中不同缓冲液对磁死层，临界电流和热稳定性的影响
5. Switching Studies of Perpendicular Magnetic Anisotropy Materials and Magnetic Tunnel Junctions [D] . Abugri, Joseph Bukari. 2019

机译：垂直磁各向异性材料和磁隧道结的切换研究
6. Annealing Stability Study of Co20Fe60B20MgO Co20Fe60B20 Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions [O] . P. J. Chen, M Zhu, S. Tibus, -1

机译：Co20Fe60B20 MgO Co20Fe60B20垂直磁隧道结的退火稳定性研究
7. Enhanced annealing stability and perpendicular magnetic anisotropy in perpendicular magnetic tunnel junctions using W layer [O] . Chatterjee, Jyotirmoy, Sousa, Ricardo C., Perrissin, Nicolas, 2017

机译：使用W层增强了垂直磁隧道结中的退火稳定性和垂直磁各向异性

Enhanced annealing stability and perpendicular magnetic anisotropy in perpendicular magnetic tunnel junctions using W layer

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