机译:高能质子的高效偏转是由于沿着弯曲硅晶体的<110>轴形成沟道而引起的
机译:高能质子的高效率偏转是由于沿“ 110”的沟道形成的。弯曲硅晶体的轴
机译:通过弯曲晶体中的轴向通道对高能质子的高效偏转
机译:记录弯曲的锗晶体中高能质子的偏转效率记录
机译:在质心= 1.96 TeV的质子反质子碰撞中,在唯一的伽马延迟+缺失横向能量通道中寻找新的物理学
机译:用于束控制的弯曲硅晶体中400 GeV / c质子的非弹性核相互作用的研究
机译:高能质子的高效偏转是由于沿着弯曲的硅晶体的(110)轴形成沟道而引起的