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Athermal silicon nitride angled MMI wavelength division (de)multiplexers for the near-infrared

机译:用于近红外的热氮化硅角度mmI波分(de)多路复用器

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摘要

WDM components fabricated on the silicon-on-insulator platform have transmission characteristics that are sensitive to dimensional errors and temperature variations due to the high refractive index and thermo-optic coefficient of Si, respectively. We propose the use of NH3-free SiNx layers to fabricate athermal (de)multiplexers based on angled multimode interferometers (AMMI) in order to achieve good spectral responses with high tolerance to dimensional errors. With this approach we have shown that stoichiometric and N-rich SiNx layers can be used to fabricate AMMIs with cross-talk<30dB, insertion loss <2.5dB, sensitivity to dimensional errors <120pm/nm, and wavelength shift <10pm/°C.
机译:在绝缘体上硅平台上制造的WDM组件具有传输特性,该特性分别由于Si的高折射率和热光系数而对尺寸误差和温度变化敏感。我们提出使用无NH3的SiNx层来制造基于成角度的多模干涉仪(AMMI)的无热(去)多路复用器,以便获得对尺寸误差具有较高容忍度的良好光谱响应。通过这种方法,我们证明了化学计量和富N的SiNx层可以用于制造串扰<30dB,插入损耗<2.5dB,对尺寸误差的灵敏度<120pm / nm和波长偏移<10pm/°C的AMMI。 。

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