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机译:al FinFET单电子器件具有紧密靠近的si柱塞门
Alkhalil Feras; Perez-Barraza J.; Husain M. K.; Lin Y.; Lambert N.; Chong H M H; Tsuchiya Y; Williams D.; Ferguson A.; Mizuta H.;
机译:铝三门单电子旋转栅与近距离静电计SET集成的实现
机译:单共栅三点单电子器件,其侧栅电容大于中心电容
机译:一种完整的一组逻辑门,基于单电子器件的周期性性质,具有相同的单级结构
机译:具有紧密接近的柱塞门的完全可调FinFET双量子点的实现
机译:用于能效的Sub-10nm双栅极FinFet的装置电路分析
机译:揭示3D FinFET电子设备中的结构和成分信息
机译:al FinFET单电子十字转门与近距离静电计sET共同集成的实现
机译:金属单壁碳纳米管的破坏性如何,半导体单壁碳纳米管组件的制造方法,半导体单壁碳纳米管薄膜的制造方法,半导体单壁碳纳米管的破坏性方法,金属单壁碳纤维纳米管集合体的制造方法,金属单壁碳纳米管薄膜的制造方法以及碳纳米管FET电子器件的制造方法
机译:具有单或双高K栅极电介质的双金属栅极finFET
机译:具有单或双高K栅极介电常数的双金属栅极FET
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