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机译:采用绝缘体上硅技术的金属法拉第笼,具有超低硅衬底噪声串扰。
Stefanou Stefanos; Hamel John; Bain J S; Armstrong M; Gamble B M; Kraft Michael; Kemhadjian Henri;
机译:SOI技术中使用金属法拉第笼的超低硅基板噪声串扰
机译:超低噪声肖特基结三栅极硅纳米线FET在粘结硅式绝缘体上
机译:硅 - 绝缘基板上横向双极晶体管中衬底偏置对低频噪声的影响
机译:绝缘体上硅上的超紧凑和低串扰1xN多模干扰分配器
机译:绝缘体上硅衬底上硅锗弛豫的位错动力学。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:采用绝缘体上硅技术的金属法拉第笼,实现超低硅衬底噪声串扰。
机译:具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板,其制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译:具有蚀刻停止层的绝缘体上硅基板的制造方法,在其上制造的绝缘体上硅集成电路以及使用该绝缘体上硅的绝缘体上集成电路的制造方法
机译:集成电路的法拉第笼具有上下金属化平面,该金属化平面填充有金属化层,并且在边缘处通过金属环结构在中间平面中连接
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