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【2h】

Charge operation of nitrided nanocrystalline silicon dot memory devices

机译：氮化纳米晶硅点存储器件的充电操作

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作者
Huang S.; Mizuta Hiroshi; Oda S.;
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年度 2005
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原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Memory characteristics of silicon nitride with silicon nanocrystals as a charge trapping layer of nonvolatile memory devices [J] . Sangmoo Choi, Hyundeok Yang, Man Chang, Applied Physics Letters . 2005,第25期

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