机译:使用FILOX氧化改善短沟道垂直MOSFET中的亚阈值斜率
机译:通过金属电极远距离还原原生III-V氧化物获得具有陡峭亚阈值斜率的In 0.53 sub> Ga 0.47 sub> As高迁移率MOSFET
机译:具有梯度沟道掺杂的垂直nMOSFET改善了热载流子和短沟道性能
机译:使用框架门架构改善RF垂直MOSFET中的亚阈值斜率
机译:在长到短通道MOSFET的应变效应:从漂移扩散到准弹道运输
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:使用帧门结构改进RF垂直mOsFET中的亚阈值斜率
机译:超短沟道si mOsFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的电导波动。