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【2h】

Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge

机译：通过在硅悬浮纳米桥上构建的量子点腔进行单电子隧穿

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作者
Ogi J.; Tsuchiya Yoshishige; Oda S.; Mizuta Hiroshi;
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作者单位

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年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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1. Single-electron tunnelling via quantum dot cavities built on a silicon suspension nanobridge [J] . Jun Ogi, Yoshishige Tsuchiya, Shunri Oda, Microelectronic Engineering . 2008,第5a6期

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2. Study of single silicon quantum dots' band gap and single-electron charging energies by room temperature scanning tunneling microscopy [J] . Zaknoon B, Bahir G, Saguy C, Nano letters . 2008,第6期

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3. Integration of Tunnel-Coupled Double Nanocrystalline Silicon Quantum Dots with a Multiple-Gate Single-Electron Transistor [J] . Yoshiyuki KAWATA, Mohammed A. H. KHALAFALLA, Kouichi USAMI, Japanese journal of applied physics . 2007,第7A期

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4. Anomalous suppression of single-electron tunnelling observed for Si nanobridge transistors with a suspended quantum dot cavity [C] . Ogi J., Manoharan M., Tsuchiya Y., Silicon Nanoelectronics Workshop, 2008. SNW 2008 . 2008

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