首页> 外文OA文献 >High-speed and Nonvolatile Nano Electromechanical Memory incorporating Si Quantum Dots

【2h】

High-speed and Nonvolatile Nano Electromechanical Memory incorporating Si Quantum Dots

机译：结合si量子点的高速和非易失性纳米机电存储器

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Tsuchiya Yoshishige; Takai K.; Momo N.; Oda S.; Yamaguchi S.; Shimada T.; Mizuta Hiroshi;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2004
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Nanoelectromechanical nonvolatile memory device incorporating nanocrystalline Si dots [J] . Yoshishige Tsuchiya, Kosuke Takai, Nobuyuki Momo, Journal of Applied Physics . 2006,第9期

机译：包含纳米晶硅点的纳米机电非易失性存储器件
2. Multilevel characteristics and memory mechanisms for nonvolatile memory devices based on CuInS2 quantum dot-polymethylmethacrylate nanocomposites [J] . Zhou Yang, Yun Dong Yeol, Kim Sang Wook, Applied Physics Letters . 2014,第23期

机译：基于CuInS 2 量子点-聚甲基丙烯酸甲酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和存储机制
3. Multilevel characteristics and memory mechanisms for nonvolatile memory devices based on CuInS_2 quantum dot-polymethylmethacrylate nanocomposites [J] . Yang Zhou, Dong Yeol Yun, Sang Wook Kim, Applied Physics Letters . 2014,第23期

机译：基于CuInS_2量子点-聚甲基丙烯酸甲酯纳米复合材料的非易失性存储器件的多级特性和存储机制
4. High-Speed and Non-Volatile Nano Electro-Mechanical Memory Incorporating Si Quantum Dots [C] . Y. Tsuchiya, K. Takai, N. Momo, International Conference on the Physics of Semiconductors . 2005

机译：具有Si量子点的高速和非易失性纳米电力机械存储器
5. Mechanical and electromechanical studies toward the assembly of carbon nanotube-based nonvolatile random access memory. [D] . Rueckes, Thomas. 2001

机译：针对组装基于碳纳米管的非易失性随机存取存储器的机械和机电研究。
6. Atomic layer deposition of high-density Pt nanodots on Al2O3 film using (MeCp)Pt(Me)3 and O2 precursors for nonvolatile memory applications [O] . Shi-Jin Ding, Hong-Bing Chen, Xing-Mei Cui, 2013

机译：使用（MeCp）Pt（Me）3和O2前驱体在Al2O3膜上高密度Pt纳米点的原子层沉积用于非易失性存储应用
7. High-Speed and Non-Volatile Nano Electro-Mechanical Memory Incorporating Si Quantum Dots [O] . Tsuchiya Yoshishige, Takai K, Momo N, 2005

机译：结合si量子点的高速和非易失性纳米机电存储器
8. Ultra High Speed Single Electron Memory Devices based on Carbon Nanotube Quantum Dots. [R] . Yang, E., Strauf, S., Fisher, F., 2011

机译：基于碳纳米管量子点的超高速单电子记忆器件。

High-speed and Nonvolatile Nano Electromechanical Memory incorporating Si Quantum Dots

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅