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Si/Ge Hole-Tunneling Double-Barrier Resonant Tunneling Diodes Formed on Sputtered Flat Ge Layers

机译：溅射平面Ge层上形成的si / Ge空穴隧穿双势垒谐振隧道二极管

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We have demonstrated Si/Ge hole-tunneling double-barrier resonant tunneling diodes (RTDs) formed on flat Ge layers with a relaxation rate of 89% by our proposed method; in this method, the flat Ge layers can be directly formed on highly B-doped Si(001) substrates using our proposed sputter epitaxy method.

机译：我们已经证明了通过我们提出的方法在平坦的Ge层上形成的Si / Ge空穴隧穿双势垒共振隧穿二极管（RTD），弛豫率为89％。在这种方法中，可以使用我们提出的溅射外延方法在高B掺杂的Si（001）衬底上直接形成平坦的Ge层。

著录项

作者
Hanafusa H.; Hirose N.; Kasamatsu A.; Mimura T.; Matsui T.; Chong H. M. H.; Mizuta H.; Suda Y.;
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作者单位

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年度 2011
总页数
原文格式 PDF
正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
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