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机译:氟注入剂量对si1-xGex中硼瞬态增强扩散和硼热扩散的影响
El Mubarek H.A.W.; Karunaratne M.; Bonar J.M.; Dilliway G.D.; Wang Y.; Hemment P.L.F.; Willoughby A.F.; Ashburn P.;
机译:氟注入剂量对Si {sub}(1-x)Ge {sub} x中硼瞬态增强扩散和硼热扩散的影响
机译:通过氟注入抑制硼在硅和硅锗中的瞬态增强扩散
机译:氟注入剂量对硼在硅中热扩散的影响
机译:超低能硼注入法对硼的增强扩散作用
机译:离子注入引起的硼掺杂硅瞬态失活和扩散过程的物理学和建模。
机译:快速高效的铜介导的18F氟化芳基斯坦酮芳基硼酸和芳基硼酸酯无需共沸干燥
机译:通过高能氟注入减少硼热扩散和消除硼瞬态增强的硅扩散
机译:从超低能量硼注入中硼增强硼的扩散
机译:硼粉的瞬态液相扩散键合
机译:用受控量的稀有气体离子注入半导体衬底,以减少随后注入到衬底中以形成PMOS器件的P-LDD区域的硼掺杂剂的沟道和/或扩散
机译:具有100%地下碳化硼扩散层的医用植入物
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