Spin-relaxation time in the impurity band of wurtzite semiconductors

机译：纤锌矿半导体杂质带中的自旋弛豫时间

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

International audience

机译：国际观众

著录项

作者
Tamborenea, Pablo I.; Wellens, Thomas; Weinmann, Dietmar; Jalabert, Rodolfo A.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Spin-relaxation time in the impurity band of wurtzite semiconductors [J] . Pablo I. Tamborenea, Thomas Wellens, Dietmar Weinmann, Physical review. B, Condensed Matter And Materals Physics . 2017,第12期

机译：纤锌矿半导体杂质带中的自旋弛豫时间
2. Spin-relaxation time in the impurity band of wurtzite semiconductors [J] . Pablo I. Tamborenea, Thomas Wellens, Dietmar Weinmann, Physical Review. B, Condensed Matter . 2017,第11a12CD期

机译：紫立岩半导体杂质带中的旋转弛豫时间
3. HOST-ISOTOPE FINE STRUCTURE OF LOCAL AND GAP MODES OF SUBSTITUTIONAL IMPURITIES IN ZINC-BLENDE AND WURTZITE II-VI SEMICONDUCTORS [J] . Sciacca MD., Kim HJ., Miotkowski I., Physical Review, B. Condensed Matter . 1996,第19期

机译：锌-掺合物和伍尔兹II-VI半导体中取代杂质的本位和间隙模式的主同位素精细结构
4. Low Temperature Impurity Diffusion into Large-Band-Gap Semiconductors [C] . A., A. Malyarenko, L. Klyachkin, International conference on diffusion in materials . 2001

机译：低温杂质扩散到大带间隙半导体中
5. Semiconductor electronic band alignment at heterojunctions of wurtzite aluminum nitride, gallium nitride, and indium nitride. [D] . Martin, Gregory Allen. 1996

机译：纤锌矿氮化铝，氮化镓和氮化铟的异质结处的半导体电子能带对准。
6. Broken symmetry and strangeness of the semiconductor impurity band metal-insulator transition [O] . J. C. Phillips 1998

机译：半导体杂质带金属-绝缘体跃迁的对称性和奇异性
7. Spin-relaxation time in the impurity band of wurtzite semiconductors [O] . Tamborenea, Pablo I., Wellens, Thomas, Weinmann, Dietmar, 2017

机译：纤锌矿半导体杂质带中的自旋弛豫时间

Spin-relaxation time in the impurity band of wurtzite semiconductors

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅