机译:勘误:“充电变压器可提高高电容应用中单电子晶体管放大器的噪声性能”[appl。物理学。快报。 80,142(2002)]
机译:勘误表:“硅纳米线生化场效应晶体管中1 / f噪声机制的温度依赖性”物理来吧97,243501(2010)]
机译:勘误表:“通过氧等离子体处理的高性能溶液沉积非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管”物理来吧100,202106(2012)]
机译:勘误表:“取决于介质的界面宽度对顶栅P(NDI2OD-T2)场效应晶体管中器件性能的影响”物理来吧101,093308(2012)]
机译:勘误表:硅纳米线生化场效应晶体管中1 ∕ f噪声机制的温度依赖性。物理来吧97243501(2010)
机译:缩回:“基于自组装单层的纳米级有机晶体管”Appl。物理。吧。 80,847(2002)