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Characteristics of a tunneling quantum-dot infrared photodetector operating at room temperature

机译:室温下隧穿量子点红外光电探测器的特性

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摘要

We report high-temperature (240–300 K)(240–300K) operation of a tunneling quantum-dot infrared photodetector. The device displays two-color characteristics with photoresponse peaks at ∼ 6 μm∼6μm and 17 μm17μm. The extremely low dark current density of 1.55 A/cm21.55A∕cm2 at 300 K300K for 1 V1V bias is made possible by the tunnel filter. For the 17 μm17μm absorption, the measured peak responsivity is 0.16 A/W0.16A∕W (300 K)(300K) for a bias of 2 V2V and the specific detectivity D*D* is 1.5×107 cm Hz1/2/W1.5×107cmHz1∕2∕W (280 K)(280K) for a bias of 1 V1V. Excellent performance characteristics are also measured for the 6 μm6μm photoresponse.
机译:我们报告了隧穿量子点红外光电探测器的高温(240–300 K)(240–300K)操作。该装置显示出两种颜色的特征,其光响应峰在〜6μm〜6μm和17μm〜17μm。隧道滤波器可以在300 K300K的条件下以1 V1V的偏压实现1.55 A / cm21.55A cm2的极低暗电流密度。对于17μm×17μm的吸收,在2°V2V的偏置下测得的峰值响应率为0.16°A / W0.16A°W(300°K)(300K),比灵敏度D * D *为1.5×107°cm·Hz1 / 2 / W1 .5×107cmHz1×2×W(280×K)(280K),偏置为1×V1V。还对6μm6μm的光响应测量了出色的性能特征。

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