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【2h】

Highly sensitive nano Tesla Quantum Well Hall Effect Integrated Circuit using GaAs-InGaAs-AlGaAs 2DEG

机译：使用Gaas-InGaas-alGaas 2DEG的高灵敏度纳米特斯拉量子阱霍尔效应集成电路

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作者
Sadeghi, M.; Sexton, J.; Liang, C.; Missous, M.;
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作者单位

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年度 2015
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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