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Régulateur de tension CMOS à faible consommation de courant et bas voltage pour amplificateurs RF intégrés

机译:CmOs电压调节器,具有低电流消耗和低电压,适用于集成RF放大器

摘要

Les régulateurs de tension CMOS destinés aux amplificateurs de type RFIC GaAs HBT doivent fonctionner dans des conditions particulières. Avec une faible consommation de courant et une basse tension d’alimentation, ils doivent être capables de fournir de forts courants aux amplificateurs, tout en restant insensibles aux perturbations RF. La structure "Recycled Folded-Cascode" (RFC) permet un fonctionnement à basse tension avec de bonnes performances AC, mais certaines améliorations ont été nécessaires pour qu’elle réponde à cette problématique. Alimentée à 1.8V, son courant de polarisation a été ramené de 800 μA à 135 μA, et l’ajout d’un buffer a été nécessaire pour qu’elle puisse fournir un courant de 20 mA. La structure RFC ainsi améliorée a été utilisée dans une configuration de rétraction pour réguler à 1.4V, la tension d’entrée appliquée à une charge émulant le comportement d'un transistor GaAs HBT. Les effets néfastes de l’infiltration RF à travers une inductance d’isolation séparant ces deux circuits ont été étudiés (infiltration RF dans les circuits de polarisation). La technique de désensibilisation proposée permet de réduire l’inductance d’isolation à 6 nH, ce qui favorise l’intégration sur puce. Elle permet également de réduire la chute de tension de sortie par 100 mV avec un courant de 20 mA dans la charge, afin de retrouver une régulation à 97%. La méthodologie employée tient compte d’un signal RF de 1.88 GHz, avec une puissance disponible de 20 dBm.ududCe mémoire comporte aussi un volet pédagogique, présentant un outil simple et facilement accessible, afin d’améliorer la formation d’élèves ingénieurs dans un cheminement en électronique analogique.
机译:用于RFIC GaAs HBT放大器的CMOS稳压器必须在特殊条件下运行。它们具有低电流消耗和低电源电压,它们必须能够向放大器提供大电流,同时又对射频干扰不敏感。 “可折叠折叠式共源代码”(RFC)结构允许低电压运行并具有良好的AC性能,但是为解决此问题,仍需要进行一些改进。它以1.8V供电,其偏置电流已从800μA减小到135μA,并且必须添加一个缓冲器,以便它可以提供20 mA的电流。改进的RFC结构用于回缩配置中,以调节至1.4V,施加至负载的输入电压可模拟GaAs HBT晶体管的行为。已经研究了通过隔离这两个电路的隔离电感器引起的RF渗透的有害影响(偏置电路中的RF渗透)。提出的脱敏技术可以将绝缘电感降低到6 nH,从而促进芯片上的集成。它还可以在负载电流为20 mA的情况下将输出电压降降低100 mV,以便重新获得97%的稳定度。使用的方法考虑了1.88 GHz的RF信号,可用功率为20 dBm。 Ud ud此存储器还包括一个教育组件,提供了一个简单易用的工具,以改善学生的培训工程师在模拟电子领域的发展。

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