首页> 外文OA文献 >Electron channeling contrast imaging of defects in III-nitride semiconductors

【2h】

Electron channeling contrast imaging of defects in III-nitride semiconductors

机译：III氮化物半导体中缺陷的电子沟道对比成像

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Trager-Cowan C.; Naresh-Kumar G.; Allehiani N.; Kraeusel S.; Hourahine B.; Vespucci S.; Thomson D.; Bruckbauer J.; Kusch G.; Edwards P. R.; Martin R. W.; Mauder C.; Day A. P.; Winkelmann A.; Vilalta-Clemente A.; Wilkinson A. J.; Parbrook P. J.; Kappers M. J.; Moram M. A.; Oliver R. A.; Humphreys C. J.; Shields P.; Le Boulbar E. D.; Maneuski D.; OShea V.; Mingard K. P.;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Reprint of: Electron channelling contrast imaging for III-nitride thin film structures [J] . Naresh-Kumar G., Thomson D., Nouf-Allehiani M., Materials science in semiconductor processing . 2016,第Null期

机译：转载：III族氮化物薄膜结构的电子通道对比度成像
2. Electron channelling contrast imaging for III-nitride thin film structures [J] . Naresh-Kumar G., Thomson D., Nouf-Allehiani M., Materials science in semiconductor processing . 2016,第Null期

机译：III族氮化物薄膜结构的电子沟道对比度成像
3. Case studies on the application of high-resolution electron channelling contrast imaging - investigation of defects and defect arrangements in metallic materials [J] . Weidner Anja, Biermann Horst Philosophical magazine: structure and properties of condensed matter . 2015,第7a9期

机译：高分辨率电子通道对比成像应用案例研究-金属材料中的缺陷和缺陷排列研究
4. Analysis of defects in bulk semiconductors using electron channelling contrast imaging [C] . Conference on the microscopy of semiconducting materials . 1991

机译：电子通道对比度成像的散装半导体缺陷分析
5. Synchrotron X-ray Characterization of Structural Defects in III-Nitride Wide Bandgap Semiconductors [D] . Wu, Shuang. 2017

机译：III-氮化物宽带隙半导体结构缺陷的同步X射线表征
6. Modeling Dislocation Contrasts Obtained by Accurate-Electron Channeling Contrast Imaging for Characterizing Deformation Mechanisms in Bulk Materials [O] . Hana KRIAA, Antoine GUITTON, Nabila MALOUFI 2019

机译：建模通过精确电子通道对比成像获得的位错对比以表征散装材料中的变形机制
7. Electron channeling contrast imaging of defects in III-nitride semiconductors [O] . Trager-Cowan, C., Naresh-Kumar, G., Allehiani, N., 2014

机译：III氮化物半导体中缺陷的电子沟道对比成像
8. Z-Contrast Imaging and Electron Channeling Analysis of Dopants in Semiconductors [R] . Pennycook, S. J., Culbertson, R. J., Fogarassy, E. 1985

机译：半导体中掺杂剂的Z-对比成像和电子通道分析

Electron channeling contrast imaging of defects in III-nitride semiconductors

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅