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机译:电沉积铜箔晶粒长大现象对应力强度因子的实验评价
今村 好男 / 佐藤 千之助 / 土方 康伸 / 遊座 徹郎; イマムラ ヨシオ / サトウ センノスケ / ヒジカタ ヤスノブ / ユウザ テツロウ; IMAMURA yoshio / SATO sennosuke / HIJIKATA yasunobu / YUUZA teturo;
机译:电沉积铜箔的接触压力测量:利用晶粒长大和电沉积铜箔的表面粗糙度测量循环压力
机译:利用电沉积铜箔中晶粒生长方向的循环双轴应力测量方法
机译:电沉积铜箔中晶粒生长方向的循环双轴应力测量方法
机译:循环应力厚度对电沉积铜膜晶粒生长的影响
机译:晶粒长大和齐纳钉扎现象:计算和实验研究。
机译:了解从铜改性的TFC膜中释放铜离子的现象:使用收缩核模型的数学和实验方法
机译:电沉积铜箔晶粒生长过程的应力测量方法。 (第一个报告谷物成核和谷物生长)
机译:电沉积铜箔,其制造方法,使用该电沉积铜箔的表面处理的电沉积铜箔,以及使用该表面处理的电沉积铜箔的覆铜层压板和印刷线路板
机译:电沉积铜箔,其制造方法,使用电沉积铜箔进行表面处理的电沉积铜箔,以及使用经表面处理的电沉积铜箔层压板和印刷线路板
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