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【2h】

Influence of Heat Treating for ZnS:Mn Sputtering Targets on Inorganic Electroluminescent Device Active Layer Films

机译：Zns：mn溅射靶热处理对无机电致发光器件活性层膜的影响

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作者
Tanaka Ryuta; Sakai Ikuko; Tanaka Kenji; Kusabiraki Minoru;
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作者单位

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年度 2008
总页数
原文格式 PDF
正文语种 eng
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1. Sputtered Zn_(1-x)Ga_2O_4:Mn thin-film electroluminescent devices prepared using cadmium-assisted processing [J] . M. Flynn, A. H. Kitai Journal of Applied Physics . 2005,第9期

机译：镉辅助工艺制备的溅射Zn_（1-x）Ga_2O_4：Mn薄膜电致发光器件
2. Influence of a two-dimensional SiO_(2) nanorod structure on the extraction efficiency of ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices [J] . Young Rag Do, Yoon Chang Kim, Sang-Hwan Cho, Applied Physics Letters . 2004,第8期

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3. High-Luminance EL Devices Using Zn_2Si_(1-X)Ge_XO_4: Mn Thin Films Prepared by Combinatorial Deposition by r.f. Magnetron Sputtering with Subdivided Powder Targets [J] . Toshihiro MIYATA, Yu MOCHIZUKI, Tadatsugu MINAMI IEICE Transactions on Electronics . 2005,第11期

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4. Sputter deposition of ZnS:Mn/SrS:Ce multilayer stacks for use as white phosphor thin film electroluminescent panels [C] . Judith A.Ruffner, Richard T.Tuenge, Sey-Shing Sun International SAMPE technical conference . 1995

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6. Method for Aluminum Oxide Thin Films Prepared through Low Temperature Atomic Layer Deposition for Encapsulating Organic Electroluminescent Devices [O] . Hui-Ying Li, Yun-Fei Liu, Yu Duan, 2015

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7. Photoluminescence of ZnS:Mn Thin-film EL Device Active Layer : Influence of H_2 Gas in Sputtering Atomsphere [O] . Tonimoto Noriyasu, Nitta Atsushi, Tanaka Kenji, 2001

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8. Electrical Characterization of Atomic Layer Epitaxy ZnS:Mn Alternating-Current Thin-Film Electroluminescent Devices Subject of Various Waveforms. (Reannouncement with New Availability Information). [R] . Abu-Dayah, A., Wager, J. F., Kobayashi, S. 1993

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