首页> 外文OA文献 >Characterisation and analytical modeling of GaN HEMT-based varactor diodes

【2h】

Characterisation and analytical modeling of GaN HEMT-based varactor diodes

机译：基于GaN HEmT的变容二极管的表征和分析建模

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

AI期刊论文写作 >>

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

International audience

机译：国际观众

著录项

作者
Hamdoun Abdelaziz; Roy L.; Himdi Mohamed; Lafond Olivier;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2015
总页数
原文格式 PDF
正文语种 en
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Characterisation and analytical modelling of GaN HEMT-based varactor diodes [J] . Hamdoun A., Roy L., Himdi M., Electronics Letters . 2015,第23期

机译：GaN HEMT基变容二极管的表征和分析模型
2. A new analytical model for the response of AlGaN/GaN HEMT-based pH sensors [J] . Upadhyay Kavita Thorat, Chattopadhyay Manju K. Journal of Computational Electronics . 2021,第3期

机译：基于AlGaN / GaN HEMT的pH传感器响应的新分析模型
3. Characterization, Modeling, and Compensation of the Dynamic Self-Biasing Behavior of GaN HEMT-Based Power Amplifiers [J] . Pedro M. Tomé, Filipe M. Barradas, Luís C. Nunes, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2021,第1期

机译：基于GaN HEMT的功率放大器动态自偏向行为的特征，建模和补偿
4. Large Signal and Analytic non-Linear Modelling of GaN HEMT-Based Varactors [C] . Abdelaziz HAMDOUN, Mohammed HIMDI, Langis ROY, International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits . 2019

机译：基于GaN HEMT的变容二极管的大信号和非线性分析建模
5. Electromagnetic Modeling of GaN Varactor Microwave Switches. [D] . Yang, Yi-Hsuan. 2013

机译：GaN变容微波开关的电磁建模。
6. Efficiency Models for GaN-Based Light-Emitting Diodes: Status and Challenges [O] . Joachim Piprek 2020

机译：基于GaN的发光二极管的效率模型：状态和挑战
7. Comparison of AlGaN/GaN MSM Varactor Diodes Based on HFET and MOSHFET Layer Structures [O] . Marso M., Fox A., Heidelberger G., 2006

机译：基于HFET和MOSHFET层结构的AlGaN / GaN MSM变容二极管的比较

Characterisation and analytical modeling of GaN HEMT-based varactor diodes

摘要

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅