机译:隧道屏障工程非易失性存储器应用中Hf02层的电荷俘获特性
机译:电荷陷阱和隧穿对氮化硅(Si_3N_4)厚度的依赖性,适用于隧道势垒设计的非易失性存储器应用
机译:具有势垒工程隧穿层的金属硅化物纳米晶体非易失性存储器的热稳定性
机译:非易失性存储器应用的多层隧道势垒
机译:非易失性存储器应用的分层隧道势垒的设计和特性。
机译:具有HfO2 / Al2O3纳米结构隧穿层的氧化Ga纳米晶体非易失性存储器
机译:具有HfO / AlO纳米结构隧穿层的氧化纳米晶体非易失性存储器
机译:用于快速,可扩展,非易失性半导体存储器的凤头隧道障碍(主题3)