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Quantitative analysis of TM lateral leakage in foundry fabricated silicon Rib waveguides

机译:铸造硅肋波导中Tm横向泄漏的定量分析

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摘要

We show that thin, shallow ridge, silicon-on-insulator waveguides exhibiting a lateral leakage behavior can be designed and fabricated using a standard silicon photonic foundry platform. We analyze the propagation loss through the observation of the transmitted TM polarized guided mode and TE polarized radiation and experimentally demonstrate that propagation losses as low as 0.087 dB/mm can be achieved. This demonstration will open a new frontier for practical devices exploiting a lateral leakage behavior with potential applications in the fields of biosensing and quantum optics among others.
机译:我们表明,可以使用标准的硅光子铸造平台来设计和制造具有横向泄漏行为的薄而浅的脊形绝缘体上硅波导。我们通过观察透射的TM偏振导模和TE偏振辐射来分析传播损耗,并通过实验证明可以实现低至0.087 dB / mm的传播损耗。该演示将为利用横向泄漏行为的实际设备开辟新领域,并将其在生物传感和量子光学等领域的潜在应用。

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