机译:p型锗深层缺陷的温度无关慢载流子发射
机译:观察深层瞬态光谱过程中p型GaAsN中少数载流子电子的俘获
机译:高压Algaas P-I-N二极管中的深层缺陷及这些缺陷对少数载体寿命的温度依赖性的影响
机译:非相干载波通过声子键机制在深水平缺陷处捕获和缺陷反应
机译:p型锗单晶中晶格缺陷的退火
机译:原子层沉积的Al2O3和ZnO壳层改善了ZnO纳米棒阵列的近带边缘和深层发射的特性
机译:在缓慢捕获的存在下直接估计捕获横截面:应用于鉴定GE中淬火深度缺陷的识别
机译:高单轴应力下p型锗的少数载流子迁移率