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机译:掺杂或CeO2作为涂层超导体的可调缓冲层:机械和电子特性的DFT研究
Vanpoucke Danny; Cottenier Stefaan; Bultinck Patrick; Van Speybroeck Veronique; Van Driessche Isabel;
机译:GD与氧气空缺与GD掺杂CEO2的电子特性和缺陷化学之间的相互作用:DFT + U学习
机译:通过镧系元素取代掺杂控制HFS2单层的电子和光学性质:DFT加上U学习
机译:通过镧系元素替代掺杂控制HFS2单层的电子和光学性质:DFT + U研究
机译:CeO_2作为涂层超导体可调节缓冲层的掺杂:机械和电子性能的DFT研究
机译:分层2D材料的可调电子和光学特性
机译:非金属掺杂单层MoSe2具有可调电子和光催化性能的第一性原理研究
机译:通过掺杂调整涂层超导体的CeO2缓冲层
机译:...使用SrRuO3,SrTiO3缓冲层的微波性能增强BSTO可调电容器和使用其的可调RF器件
机译:半导体衬底掺杂区产品-施加涂覆有两个绝缘层的未掺杂硅层,该绝缘层被部分去除,留下用于掺杂的裸露区域
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