机译:通过将离子盐RbNO3插入III-VI化合物层状半导体的范德华间隙中而生长的纳米复合结构
机译:掺杂有Cu和Cd的III-VI层状半导体的光学特性以及相关的III-VI /天然氧化物结构
机译:III-VI层状半导体的电子结构的特定特征:压力和电子结构计算下的结构和光学测量的最新结果
机译:成分为BC_xN(x≥6)的类似石墨的层状材料的嵌入化学和电子结构
机译:层状二氧化钴锂锂插层基质材料的结构,电化学和工艺研究。
机译:构建具有高催化热分解高氯酸铵性能的片状片状结构氮化碳/还原石墨烯/层状MnO2三元纳米复合材料
机译:宽间隙层状硫族硫化物半导体:材料,电子结构和光电特性。