机译:电荷排序,对称性和电子结构问题以及四分之一填充带mott绝缘体和高压金属δ-(EDT-TTF-CONme2)2X,X = Br和asF6的Wigner晶体结构
机译:四分之一带状带Mott绝缘子和高压金属δ-(EDT-TTF-CONMe2)2X的电荷排序,对称性和电子结构问题以及Wigner晶体结构,X = Br和AsF6
机译:在一维卤素桥混合金属化合物中调节从电荷转移绝缘体到Mott-Hubbard和Peierls绝缘体的电子结构
机译:[F5TeNH3] [AsF6],[F5TeN(H)Xe] [AsF6]和F5TeNF2的合成,并通过多核磁共振和拉曼光谱法以及通过电子结构计算进行表征:α-和β-F5TeNH2的X射线晶体结构,[F5TeNH3] [AsF6]和[F5TeN(H)Xe
机译:k-(BEDT-TTF)_2X盐中的电子结构,绝缘体-金属跃迁和超导
机译:某些过渡金属氮化物的电子结构和磁性:锰掺杂的氮化scan,稀磁半导体和氮化铬,莫特绝缘子。
机译:电子结构的点群对称性分析裸露和受保护的金属纳米晶体
机译:莫特绝缘子和高压金属 - (EDT-TTF-CONmE2)2X,X = Br和asF6。 I.F
机译:过渡金属系统中mott-Hubbard对电荷转移绝缘子转变和电子结构演化的直接探讨。