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Charge ordering, symmetry and electronic structure issues and Wigner crystal structure of the quarter-filled band Mott insulators and high pressure metals δ-(EDT-TTF-CONMe2)2X, X = Br and AsF6

机译:电荷排序,对称性和电子结构问题以及四分之一填充带mott绝缘体和高压金属δ-(EDT-TTF-CONme2)2X,X = Br和asF6的Wigner晶体结构

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摘要

We report on the synthesis and application of an internal chemical pressure to effectively control, and reduce, the Mott gap in the system δ-(EDT-TTF-CONMe2)2X, X = Br, AsF6; the detailed accounts of its Pmna, averaged room temperature structure and reversible phase transition at ca. 190 K towards a low temp
机译:我们报告了内部化学压力的合成和应用,以有效控制和减少系统中的Mott间隙δ-(EDT-TTF-CONMe2)2X,X = Br,AsF6;它的Pmna的详细说明,平均室温结构和大约20℃的可逆相变。 190 K朝向低温

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